メモリセルの電圧レベルの高低の2値によりビットデータの0と1を記憶する従来の記録方式ではなく、電圧レベルのしきい値を複数設定して、1つのメモリセルで2値以上の情報を記録可能にする技術。しきい値を4値にすれば2bitの情報を、8値にすれば3bitの情報を、16値にすれば4bitの情報を記録できることになる。多値記憶技術は、ICカードに使用されるフラッシュメモリなど、製造コストを大幅に低減させたいメモリで注目されている。

　多値記憶技術のポイントは、しきい値のばらつきをある程度許容しながら、正しい値を記録、読み出しできるようなメモリセルの精度を実現することである。ばらつきを許容するには、メモリの電源電圧をあげて、メモリの動作範囲を大きくするのが最も簡単な解決法だが、これではメモリを駆動するための消費電力が増大してしまうという問題がある。